| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电流 | 7.00 A |
| 封装 | SOIC-8 |
| 通道数 | 2 Channel |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 24 mΩ |
| 极性 | N-Channel, P-Channel |
| 功耗 | 2 W |
| 阈值电压 | 2 V |
| 输入电容 | 540 pF |
| 栅电荷 | 5.70 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 35 V |
| 漏源击穿电压 | 35 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 7.00 A |
| 上升时间 | 16.0 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 570pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 900 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 4.9 mm |
| 宽度 | 3.9 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild（飞兆/仙童）
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8960C 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7 A, 35 V, 24 mohm, 10 V, 2 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET FDS8960C, 5 A，7 A, Vds=35 V, 8引脚 SOIC封装
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