| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 极性 | P-CH |
| 功耗 | 2.5 W |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.5A |
| 上升时间 | 20 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 405pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1 W |
| 下降时间 | 21 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.5W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 4.9 mm |
| 宽度 | 3.9 mm |
| 高度 | 1.575 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
汽车 P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor
●Fairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。
●### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor
●Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
●Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
P沟道2.5V指定MOSFET P-Channel 2.5V Specified MOSFET
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS9431A 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -20 V, 130 mohm, -4.5 V, -600 mV
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET FDS9431A, 3.5 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
Fairchild（飞兆/仙童）
P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild（飞兆/仙童）
P沟道2.5V指定MOSFET P-Channel 2.5V Specified MOSFET
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