| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电压(DC) | -20.0 V |
| 额定电流 | -3.80 A |
| 封装 | SOIC-8 |
| 通道数 | 2 Channel |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.075 Ω |
| 极性 | P-Channel, Dual P-Channel |
| 功耗 | 2 W |
| 输入电容 | 600 pF |
| 栅电荷 | 7.00 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | 20.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±8.00 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.80 A |
| 上升时间 | 9 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 600pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 900 mW |
| 下降时间 | 28 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 900 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 4.9 mm |
| 宽度 | 3.9 mm |
| 高度 | 1.75 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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双P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS9933A 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -3.8 A, -20 V, 75 mohm, -4.5 V, -800 mV
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双P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET ™ Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench㈢ MOSFET
ON Semiconductor（安森美）
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -3.8 A, -20 V, 0.075 ohm, -4.5 V, -800 mV
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