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FDT3612
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FDT3612 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:TO-261-4
描述:PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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FDT3612 数据手册 (6 页)
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FDT3612 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)100 V
额定电流3.70 A
封装TO-261-4
针脚数3 Position
漏源极电阻120 mΩ
极性N-Channel
功耗3 W
阈值电压2.5 V
输入电容632 pF
栅电荷14.0 nC
漏源极电压(Vds)100 V
漏源击穿电压100 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)10.2 A
上升时间2 ns
输入电容值(Ciss)632pF @50V(Vds)
额定功率(Max)1.1 W
下降时间4.5 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3 W
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FDT3612 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.5 mm
宽度3.56 mm
高度1.6 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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FDT3612 数据手册

FDT3612 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
6 页 / 0.24 MByte
FDT3612 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
17 页 / 1.1 MByte
FDT3612 产品设计图
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.06 MByte
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