| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | TO-261-4 |
| 针脚数 | 4 Position |
| 漏源极电阻 | 40 mΩ |
| 功耗 | 3 W |
| 阈值电压 | 600 mV |
| 输入电容 | 1187 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1187pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.1 W |
| 下降时间 | 30 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 长度 | 6.5 mm |
| 宽度 | 3.56 mm |
| 高度 | 1.6 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor
●PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。
●最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。
●PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.32 MByte
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.22 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDT434P 晶体管, MOSFET, P沟道, 6 A, -20 V, 0.04 ohm, -4.5 V, -600 mV
ON Semiconductor（安森美）
FDT434P 系列 20 V 0.05 Ohm P沟道 PowerTrench Mosfet - SOT-223
Fairchild（飞兆/仙童）
P沟道2.5V指定PowerTrenchï ???? MOSFET P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchï MOSFET
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