| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 额定电压(DC) | -20.0 V |
| 额定电流 | -5.50 A |
| 封装 | TO-261-4 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 4 Position |
| 漏源极电阻 | 0.04 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 3 W |
| 输入电容 | 1.19 nF |
| 栅电荷 | 13.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | 12.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±8.00 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 6.00 A |
| 上升时间 | 15 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1187pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.1 W |
| 下降时间 | 30 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.5 mm |
| 宽度 | 3.56 mm |
| 高度 | 1.6 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
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P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDT434P 晶体管, MOSFET, P沟道, 6 A, -20 V, 0.04 ohm, -4.5 V, -600 mV
ON Semiconductor（安森美）
FDT434P 系列 20 V 0.05 Ohm P沟道 PowerTrench Mosfet - SOT-223
Fairchild（飞兆/仙童）
P沟道2.5V指定PowerTrenchï ???? MOSFET P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchï MOSFET
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