| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 5.00 A |
| 封装 | TO-261-4 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 4 Position |
| 漏源极电阻 | 0.043 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 3 W |
| 阈值电压 | 1.6 V |
| 输入电容 | 235 pF |
| 栅电荷 | 4.20 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.00 A |
| 上升时间 | 12.0 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 235pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.1 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.5 mm |
| 宽度 | 3.56 mm |
| 高度 | 1.6 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30v \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.06Ω/Ohm 5A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1-3V 耗散功率Pd Power Dissipation| 3W Description & Applications| 60V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. This MOSFET features very low RDS(ON) in a small SOT23 footprint. Fairchild’s PowerTrench technology provides faster switching than other MOSFETs with comparable RDS(ON) specifications. The result is higher overall efficiency with less board space. High density cell design for extremely low RDS(ON) .High power and current handling capability in a widely used surface mount package. 描述与应用| 60V N-沟道PowerTrench MOSFET 概述 此N沟道MOSFET已专门设计 以提高整体效率的DC / DC转换器的使用 同步或传统开关PWM控制器。 在一个小SOT23 MOSFET具有非常低的RDS（ON） 足迹。飞兆半导体的PowerTrench技术提供了更快的开关速度比其他的MOSFET具有可比性 RDS（ON）规格。其结果是更少的电路板空间与更高的整体效率。 高密度电池设计极低的RDS（ON）一种广泛使用的高功率和电流处理能力表面贴装封装
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDT457N 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 0.043 ohm, 10 V, 1.6 V
ON Semiconductor（安森美）
增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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