| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 25.0 V |
| 额定电流 | 220 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 额定功率 | 350 mW |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 3.1 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 350 mW |
| 阈值电压 | 850 mV |
| 输入电容 | 9.50 pF |
| 栅电荷 | 700 pC |
| 漏源极电压(Vds) | 25 V |
| 漏源击穿电压 | 25.0 V |
| 栅源击穿电压 | 8.00 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 220 mA |
| 上升时间 | 6 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 9.5pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 350 mW |
| 下降时间 | 3.5 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 350mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.92 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.93 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 25V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流Id Drain Current| 220mA/0.22A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 3.1Ω/Ohm @400mA,4.5V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.2V 耗散功率Pd Power Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits. VGS(th) < 1.5V. Gate-Source Zener for ESD ruggedness. >6kV Human Body Model Replace multiple NPN digital transistors with one DMOS FET 描述与应用| 非常低的水平栅极驱动要求可直接 操作在3V电路。 VGS（TH<1.5。 门源齐纳ESD坚固。 >6kV人体模型 更换多个NPN数字晶体管与一DMOS FET
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDV301N 晶体管, MOSFET, N沟道, 220 mA, 25 V, 3.1 ohm, 4.5 V, 850 mV
ON Semiconductor（安森美）
FD V301N 系列 N沟道 25 V 4 Ohm 表面贴装 数字 FET - SOT-23-3
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