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FDV302P_Q
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FDV302P_Q 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:SOT-23-3
PDF文件:FDV302P_Q 数据手册 (5 页)
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焊盘图
引脚图
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FDV302P_Q 数据手册 (5 页)
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FDV302P_Q 技术参数、封装参数

类型描述
封装SOT-23-3
极性P-CH
功耗350 mW
漏源极电压(Vds)25 V
连续漏极电流(Ids)0.12A
上升时间8 ns
下降时间8 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
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FDV302P_Q 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
长度2.9 mm
宽度1.3 mm
高度1.2 mm
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FDV302P_Q 数据手册

FDV302P_Q 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
5 页 / 0.06 MByte

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