| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 25.0 V |
| 额定电流 | 680 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 额定功率 | 350 mW |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.33 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 350 mW |
| 阈值电压 | 800 mV |
| 漏源极电压(Vds) | 25 V |
| 漏源击穿电压 | 25.0 V |
| 栅源击穿电压 | 8.00 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 680 mA |
| 上升时间 | 8.5 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 50pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 350 mW |
| 下降时间 | 13 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 350mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.92 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.93 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild公司的FDV303N是一个表面安装的N沟道逻辑电平加强模式数字FET, SOT-23封装. 此设备具有高密度, DMOS技术, 量身设计以最小化通导电阻并保持低栅极驱动条件. 甚至当栅极驱动电压低至2.5V时, 此设备具有卓越的通导电阻, 设计用于电池电路, 电路可采用一块锂电池,或三个镉电池,或NHM电池, 另有逆变器, 高效微型离散直流/直流转换器位于如移动电话和传呼机等电子设备.
● 漏极至源极电压: 25V
● 栅-源电压：8V
● 持续漏电流(ld): 680mA
● 功率耗散: 350mW
● 低导通电阻: 330mohm, Vgs 4.5V
● 工作温度范围: -55°C至150°C
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
数字场效应管， N通道 Digital FET, N-Channel
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDV303N 晶体管, MOSFET, N沟道, 680 mA, 25 V, 0.33 ohm, 4.5 V, 800 mV
ON Semiconductor（安森美）
增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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