| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOT-23-3 |
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
17 页 / 2.07 MByte
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
数字场效应管， N通道 Digital FET, N-Channel
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDV303N 晶体管, MOSFET, N沟道, 680 mA, 25 V, 0.33 ohm, 4.5 V, 800 mV
ON Semiconductor（安森美）
增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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