类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | -25.0 V |
额定电流 | -460 mA |
封装 | SOT-23-3 |
额定功率 | 350 mW |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 1.22 Ω |
极性 | P-Channel |
功耗 | 350 mW |
漏源极电压(Vds) | 25 V |
漏源击穿电压 | -25.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 460 mA |
上升时间 | 8 ns |
输入电容值(Ciss) | 63pF @10V(Vds) |
额定功率(Max) | 350 mW |
下降时间 | 35 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 350mW (Ta) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 2.92 mm |
宽度 | 1.3 mm |
高度 | 0.93 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -25V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| -8V 最大漏极电流IdDrain Current| -460mA/-0.46A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.87Ω @-500mA,-4.5V 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| -0.65--1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits. VGS(th) < 1.5V. Gate-Source Zener for ESD ruggedness. >6kV Human Body Model Compact industry standard SOT-23 surface mount package. 描述与应用| 非常低的水平栅极驱动要求可直接 操作在3V电路。 VGS(TH)<1.5V 门源齐纳ESD坚固。 >6kV人体模型 紧凑型工业标准SOT-23表面贴装封装
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数字场效应晶体管, P沟道 Digital FET, P-Channel
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDV304P 晶体管, MOSFET, P沟道, -460 mA, -25 V, 1.22 ohm, 2.7 V, -860 mV
ON Semiconductor(安森美)
FD V304P 系列 P沟道 25 V 1.5 Ohm 表面贴装 数字 FET - SOT-23-3
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