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FDY101PZ
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FDY101PZ 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:SC-89-3
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDY101PZ  晶体管, MOSFET, P沟道, 150 mA, -20 V, 8 ohm, -4.5 V, -1 V
PDF文件:FDY101PZ 数据手册 (3 页)封装尺寸在1 页
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FDY101PZ 数据手册 (3 页)
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FDY101PZ 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装SC-89-3
针脚数3 Position
漏源极电阻8 Ω
极性P-Channel
功耗625 mW
漏源极电压(Vds)20 V
栅源击穿电压±8.00 V
连续漏极电流(Ids)150 mA
上升时间13 ns
输入电容值(Ciss)100pF @10V(Vds)
额定功率(Max)446 mW
下降时间13 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)625mW (Ta)
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FDY101PZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度1.6 mm
宽度0.88 mm
高度0.78 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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FDY101PZ 数据手册

FDY101PZ 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
3 页 / 0.08 MByte
FDY101PZ 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
8 页 / 0.23 MByte
FDY101PZ 开发手册
Fairchild（飞兆/仙童）
6 页 / 1.89 MByte
FDY101PZ 产品描述及参数
Fairchild（飞兆/仙童）
6 页 / 0.12 MByte

FDY101 数据手册

FDY101PZ 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDY101PZ  晶体管, MOSFET, P沟道, 150 mA, -20 V, 8 ohm, -4.5 V, -1 V
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ON Semiconductor（安森美）
晶体管, MOSFET, P沟道, 150 mA, -20 V, 8 ohm, -4.5 V, -1 V
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