| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SC-89-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.24 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 625 mW |
| 阈值电压 | 1 V |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | 20.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±12.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 600 mA |
| 上升时间 | 8 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 60pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 446 mW |
| 下降时间 | 2.4 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 625mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 1.7 mm |
| 宽度 | 0.98 mm |
| 高度 | 0.78 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDY300NZ 晶体管, MOSFET, N沟道, 600 mA, 20 V, 0.24 ohm, 4.5 V, 1 V
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDY3000NZ 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 600 mA, 20 V, 700 mohm, 4.5 V, 1 V
ON Semiconductor（安森美）
FDY3000NZ 系列 20 V 700 mOhm 双 N 沟道 专用 PowerTrench MOSFET
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDY300NZ, 600 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-523 (SC-89)封装
Fairchild（飞兆/仙童）
双N沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
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