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FF150R12KT3GHOSA1
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FF150R12KT3GHOSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
封装:AG-62MM-1
描述:晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 225 A, 1.7 V, 780 W, 1.2 kV, Module
PDF文件:FF150R12KT3GHOSA1 数据手册 (1 页)
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FF150R12KT3GHOSA1 数据手册 (1 页)
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FF150R12KT3GHOSA1 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数7 Pin
封装AG-62MM-1
功耗780 W
击穿电压(集电极-发射极)1200 V
输入电容值(Cies)11nF @25V
额定功率(Max)780 W
工作温度(Max)125 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)780000 mW
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FF150R12KT3GHOSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tray
工作温度-40℃ ~ 125℃
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FF150R12KT3GHOSA1 数据手册

FF150R12KT3GHOSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
1 页 / 0.06 MByte
FF150R12KT3GHOSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
36 页 / 3.45 MByte
FF150R12KT3GHOSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
73 页 / 2.93 MByte
FF150R12KT3GHOSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
40 页 / 6.73 MByte

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