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FF200R06KE3HOSA1
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FF200R06KE3HOSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
封装:AG-62MM-1
描述:晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 260 A, 1.45 V, 680 W, 600 V, Module
PDF文件:FF200R06KE3HOSA1 数据手册 (8 页)
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FF200R06KE3HOSA1 数据手册 (8 页)
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FF200R06KE3HOSA1 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数7 Pin
封装AG-62MM-1
功耗680 W
击穿电压(集电极-发射极)600 V
额定功率(Max)680 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)680000 mW
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FF200R06KE3HOSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tray
工作温度-40℃ ~ 150℃ (TJ)
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FF200R06KE3HOSA1 数据手册

FF200R06KE3HOSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
8 页 / 0.45 MByte
FF200R06KE3HOSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
36 页 / 3.45 MByte
FF200R06KE3HOSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
73 页 / 2.93 MByte
FF200R06KE3HOSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
33 页 / 2.24 MByte
FF200R06KE3HOSA1 产品封装文件
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.29 MByte

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晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 260 A, 1.45 V, 680 W, 600 V, Module
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