| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Screw |
| 引脚数 | 7 Pin |
| 封装 | AG-62MM-1 |
| 额定功率 | 1450 W |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1450000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tray |
| 长度 | 106.4 mm |
| 宽度 | 61.4 mm |
| 高度 | 30.9 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 125℃ |
Infineon（英飞凌）
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INFINEON FF300R17KE4 晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 440 A, 1.95 V, 1.8 kW, 1.7 kV, Module
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EconoDUAL3模块沟/场终止IGBT 4极和发射Controlled3二极管 EconoDUAL3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled3 diode
Infineon（英飞凌）
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 375 A, 1.95 V, 1.8 kW, 1.7 kV, Module
Infineon（英飞凌）
Infineon FF300R17ME4B11BOSA1 N通道 IGBT 模块, 串行, 375 A, Vce=1700 V, 11引脚 ECONOD封装
Infineon（英飞凌）
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 404 A, 2 V, 1.45 kW, 1.7 kV, Module
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IGBT 模块，Infineon **Infineon 封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM IGBT 分立件和模块，Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
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INFINEON FF300R17KE4HOSA1 晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 440 A, 1.95 V, 1.8 kW, 1.7 kV, Module
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EconoDUAL3模块沟/场终止IGBT3和EmCon3二极管 EconoDUAL3 module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon3 diode
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