类型 | 描述 |
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引脚数 | 11 Pin |
封装 | AG-ECONOD-3 |
功耗 | 4.05 kW |
击穿电压(集电极-发射极) | 1200 V |
输入电容值(Cies) | 37nF @25V |
额定功率(Max) | 4050 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -40 ℃ |
耗散功率(Max) | 4050000 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tray |
工作温度 | -40℃ ~ 150℃ |
IGBT 模块 沟槽型场截止 2 个独立式 底座安装 模块
Infineon(英飞凌)
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EconoDUAL3模块沟/场终止IGBT 4和发射极控制二极管和压接/ NTC EconoDUAL3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and PressFIT / NTC
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晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 600 A, 1.75 V, 4.05 kW, 1.2 kV, Module
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