| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tray |
| 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
IGBT 模块 EconoDUAL 3 1700V dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled Diode, NTC and PressFIT Contact Technology
Infineon（英飞凌）
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 950 A, 1.95 V, 1.7 kV, Module
Infineon（英飞凌）
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 950 A, 1.95 V, 1.7 kV, Module
Infineon（英飞凌）
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 600 A, 1.95 V, 1.7 kV, Module
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