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FF6MR12W2M1B11BOMA1
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FF6MR12W2M1B11BOMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
封装:AG-EASY2BM-2
描述:晶体管, MOSFET, 双N沟道, 200 A, 1.2 kV, 0.00563 ohm, 15 V, 4.5 V
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
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FF6MR12W2M1B11BOMA1 数据手册
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FF6MR12W2M1B11BOMA1 技术参数、封装参数

类型描述
封装AG-EASY2BM-2
漏源极电阻0.00563 Ω
阈值电压4.5 V
漏源极电压(Vds)1200 V
上升时间18.7 ns
输入电容值(Ciss)14700pF @800V(Vds)
下降时间30 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-40 ℃

FF6MR12W2M1B11BOMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tray
工作温度-40℃ ~ 150℃ (TJ)

FF6MR12W2M1B11BOMA1 数据手册

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Infineon（英飞凌）
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FF6MR12W2M1B11 数据手册

FF6MR12W2M1B11BOMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, 双N沟道, 200 A, 1.2 kV, 0.00563 ohm, 15 V, 4.5 V
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