| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 2 Pin |
| 封装 | TO-247 |
| 额定功率 | 0.8 W |
| 正向电压 | 1.75 V |
| 功耗 | 259000 mW |
| 电阻 | 3320 Ω |
| 正向电流 | 30000 mA |
| 正向电流(Max) | 30 A |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 工作结温(Max) | 175 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 259000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 高度 | 1.45 mm |
碳化硅 (SiC)肖特基二极管采用一种全新的技术, 与硅相比, 这种技术提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流, 开关特性与温度无关, 以及出色的温度性能, 碳化硅是优秀的半导体。系统优势包括高效率, 快工作频率, 高功率密度, 低EMI, 以及缩小系统尺寸, 降低成本。
● 最高结温: 175°C
● 符合AEC-Q101
● 雪崩额定200 mJ
● 无反向恢复/无正向恢复
● 易于并联
● 高浪涌电流性能
● 正温度系数
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
二极管, 碳化硅肖特基, 单, 650 V, 30 A, 100 nC, TO-247
ON Semiconductor（安森美）
二极管, 碳化硅肖特基, 单, 650 V, 30 A, 73 nC, TO-247
ON Semiconductor（安森美）
肖特基二极管与整流器 650V 30A SIC SBD
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