| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-3-3 |
| 额定功率 | 156 W |
| 功耗 | 156000 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 1000 V |
| 反向恢复时间 | 1.5 µs |
| 额定功率(Max) | 156 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 63 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 15.8 mm |
| 宽度 | 5 mm |
| 高度 | 20.1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
IGBT 分立，Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
Fairchild（飞兆/仙童）
IGBT、1000V 及以上，Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
ON Semiconductor（安森美）
单晶体管, IGBT, 50 A, 2.5 V, 156 W, 1 kV, TO-3P, 3 引脚
Fairchild（飞兆/仙童）
1000V ， 50A NPT- IGBT沟槽CO- PAK 1000V, 50A NPT-Trench IGBT CO-PAK
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor FGA50N100BNTDTU N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1000 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
Fairchild（飞兆/仙童）
1000V ， 50A NPT- IGBT沟槽CO- PAK 1000V, 50A NPT-Trench IGBT CO-PAK
Fairchild（飞兆/仙童）
1000V ， 50A NPT- IGBT沟槽CO- PAK 1000V, 50A NPT-Trench IGBT CO-PAK
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