FGA60N60UFDTU 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:	ON Semiconductor（安森美）
分类:	IGBT晶体管
封装:	TO-3-3
描述:	ON Semiconductor FGA60N60UFDTU N沟道 IGBT, 120 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-3P封装
PDF文件:	FGA60N60UFDTU 数据手册 (8 页)封装尺寸在7 页
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

FGA60N60UFDTU 数据手册 (8 页)

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FGA60N60UFDTU 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
封装	TO-3-3
功耗	298000 mW
击穿电压(集电极-发射极)	600 V
反向恢复时间	47 ns
额定功率(Max)	298 W
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	298000 mW

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FGA60N60UFDTU 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tube
长度	15.8 mm
宽度	5 mm
高度	20.1 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FGA60N60UFDTU 符合标准

FGA60N60UFDTU 海关信息

FGA60N60UFDTU 概述

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