| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 600 V |
| 额定电流 | 40.0 A |
| 封装 | TO-3-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 功耗 | 100 W |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 40.0 A |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 600 V |
| 额定功率(Max) | 100 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 100 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 15.5 mm |
| 宽度 | 5.5 mm |
| 高度 | 16.7 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGAF40N60UFTU 单晶体管, IGBT, 通用, 40 A, 600 V, 100 W, 600 V, TO-3PF, 3 引脚
Fairchild（飞兆/仙童）
IGBT，Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor FGAF40N60SMD N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-3PF封装
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor FGAF40N60UFTU N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-3PF封装
Fairchild（飞兆/仙童）
IGBT 分立，Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
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