类型 | 描述 |
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封装 | D2PAK |
极性 | NPN |
击穿电压(集电极-发射极) | 800 V |
集电极最大允许电流 | 2A |
Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
ESBC™ 功率晶体管,Fairchild Semiconductor 双极 NPN 功率晶体管专为用于 ESBC™(发射器开关双极/MOSFET 共源栅极)以及适宜的功率 MOSFET 设备而设计。 此电源开关配置由于在设计中未采用 Miller 电容,因此提升了效率、灵活性和稳健性,并且最大限度地降低了驱动功率。 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor(安森美)
ESBC™ 功率晶体管,Fairchild Semiconductor双极 NPN 功率晶体管专为用于 ESBC™(发射器开关双极/MOSFET 共源栅极)以及适宜的功率 MOSFET 设备而设计。 此电源开关配置由于在设计中未采用 Miller 电容,因此提升了效率、灵活性和稳健性,并且最大限度地降低了驱动功率。### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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