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FJP13007H1TU-F080
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FJP13007H1TU-F080 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
封装:TO-220-3
描述:FJP13007: NPN芯片晶体管
PDF文件:FJP13007H1TU-F080 数据手册 (5 页)
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FJP13007H1TU-F080 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
封装TO-220-3
击穿电压(集电极-发射极)400 V
最小电流放大倍数8 @2A, 5V
额定功率(Max)80 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)80000 mW
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FJP13007H1TU-F080 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度150℃ (TJ)
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FJP13007H1TU-F080 数据手册

FJP13007H1TU-F080 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
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