| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 频率 | 4 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 400 V |
| 额定电流 | 12.0 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 100 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 400 V |
| 集电极最大允许电流 | 12A |
| 最小电流放大倍数 | 8 @5A, 5V |
| 额定功率(Max) | 100 W |
| 直流电流增益(hFE) | 8 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 100000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 4.83 mm |
| 高度 | 16.51 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
高压开关模式的应用 High Voltage Switch Mode Application
Fairchild（飞兆/仙童）
NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FJP13009TU 单晶体管 双极, NPN, 400 V, 4 MHz, 100 W, 12 A, 8 hFE
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor FJP13009H2TU , NPN 晶体管, 12 A, Vce=400 V, HFE:6, 3引脚 TO-220封装
ON Semiconductor（安森美）
高电压 NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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