| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 50 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 350 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 350 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.5A |
| 最小电流放大倍数 | 40 @30mA, 10V |
| 额定功率(Max) | 350 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 350 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 350V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 350V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 500mA/0.5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 50MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 40 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| NPN High Voltage Transistor 描述与应用| NPN高压晶体管
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NPN高压晶体管 NPN High Voltage Transistor
ON Semiconductor（安森美）
单晶体管 双极, NPN, 350 V, 50 MHz, 350 mW, 500 mA, 25 hFE
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