类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | TDFN-8 |
供电电流 | 0.3 mA |
针脚数 | 8 Position |
时钟频率 | 1 MHz |
存取时间 | 550 ns |
存取时间(Max) | 550 ns |
工作温度(Max) | 85 ℃ |
工作温度(Min) | -40 ℃ |
电源电压 | 2.7V ~ 3.6V |
电源电压(Max) | 3.65 V |
电源电压(Min) | 2.7 V |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tube |
长度 | 4 mm |
宽度 | 4.5 mm |
高度 | 0.7 mm |
工作温度 | -40℃ ~ 85℃ |
F-RAM,Cypress Semiconductor
●铁电随机存储器 (F-RAM) 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM,用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用,且符合 AEC-Q100 标准。
●非易失性铁电 RAM 存储器
●快写入速度
●高耐受性
●低功耗
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
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F-RAM, Ramtron非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。
Ramtron
64-Kbit(8K × 8bit),I2C接口,工作电压:3.0V to 3.6V
Ramtron
RAMTRON FM24CL64B-G 芯片, 存储器, FRAM, 64K, I2C, 8SOIC
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
FM24CL64 系列 64 Kb (8 K x 8) 3 V 3 us 串行 F-RAM 存储器 - TDFN-8
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F-RAM,Cypress Semiconductor### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
FM24CL64 系列 64 Kb (8K x 8) 3 V 3 us 串行 F-RAM 存储器 - TDFN-8
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64Kb的串行3V F-RAM存储器 64Kb Serial 3V F-RAM Memory
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