| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | TDFN-8 |
| 电源电压(Max) | 3.65 V |
| 电源电压(Min) | 2.7 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
CYPRESS SEMICONDUCTOR FM25CL64B-G 存储芯片, FRAM, 64K, SPI, 8SOIC
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
F-RAM，Cypress SemiconductorFerroelectric 随机存取存储器 (F-RAM) 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM，用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用，且符合 AEC-Q100 标准。非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM（铁电 RAM）FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
CYPRESS SEMICONDUCTOR FM25CL64B-GA 芯片, FRAM, 64KBIT, 16MHZ, 8SOIC
Ramtron
64-Kbit(8K × 8bit)，SPI接口，工作电压：2.7V to 3.65V
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
64Kb的串行3V F-RAM存储器 64Kb Serial 3V F-RAM Memory
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
FM25CL64B 系列 64 Kb (8 K x 8) 3.3 V 表面贴装 串行 F-RAM 存储器 - SOIC-8
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