| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | TDFN-8 |
| 存取时间(Max) | 9 ns |
| 工作温度(Max) | 85 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 电源电压 | 2V ~ 3.6V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 高度 | 0.75 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 85℃ (TA) |
FRAM（铁电体 RAM） 存储器 IC 256Kb（32K x 8） SPI 40 MHz 8-DFN（4x4.5）
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
23 页 / 0.8 MByte
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
18 页 / 0.48 MByte
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8 页 / 0.4 MByte
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
256-Kbit(32K x 8bit)，SPI接口，工作电压：2.0V to 3.6V
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F-RAM，Cypress SemiconductorFerroelectric 随机存取存储器 (F-RAM) 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM，用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用，且符合 AEC-Q100 标准。非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM（铁电 RAM）FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。
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F-RAM，Cypress Semiconductor FRAM（铁电 RAM） FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。
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F-RAM，Cypress SemiconductorFerroelectric 随机存取存储器 (F-RAM) 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM，用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用，且符合 AEC-Q100 标准。非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM（铁电 RAM）FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。
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256Kb的3V串行F-RAM存储器 256Kb Serial 3V F-RAM Memory
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
铁电存储器(FRAM), 256 Kbit(32K x 8)SPI, 33 MHz, 2.7 V至3.6 V电源, DFN-8
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
Ramtron
256-Kbit(32K × 8bit)，SPI接口，工作电压：2.0V to 3.6V
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