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FM25V02-G 数据手册 (23 页)
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FM25V02-G 技术参数、封装参数

FM25V02-G 外形尺寸、物理参数、其它

FM25V02-G 数据手册

Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
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FM25V02 数据手册

Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
256-Kbit(32K x 8bit),SPI接口,工作电压:2.0V to 3.6V
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
F-RAM,Cypress SemiconductorFerroelectric 随机存取存储器 (F-RAM) 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM,用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用,且符合 AEC-Q100 标准。非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
F-RAM,Cypress Semiconductor FRAM(铁电 RAM) FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
F-RAM,Cypress SemiconductorFerroelectric 随机存取存储器 (F-RAM) 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM,用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用,且符合 AEC-Q100 标准。非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。
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256Kb的3V串行F-RAM存储器 256Kb Serial 3V F-RAM Memory
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
铁电存储器(FRAM), 256 Kbit(32K x 8)SPI, 33 MHz, 2.7 V至3.6 V电源, DFN-8
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
Ramtron
256-Kbit(32K × 8bit),SPI接口,工作电压:2.0V to 3.6V
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