| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOT-153 |
| 极性 | NPN+PNP |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 100mA |
| 最小电流放大倍数 | 30 @5mA, 5V |
| 额定功率(Max) | 300 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| 40V/-10V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V/-50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| 50mA/-50mA Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 10KΩ/Ohm Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 10KΩ/Ohm Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio| 1 Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 10KΩ/Ohm Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 10KΩ/Ohm Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 250MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| Features •Power management(dual digital transistors) •Both the DTA114E chip and DTC114E chip in a UMT or SMT package. •Ideal for power switch circuits. •Mounting cost and area can be cut in half 描述与应用| 特点 •电源管理（双数字晶体管） •两个DTA114E芯片DTC114E一个UMT或SMT封装的芯片的。 •电源开关电路的理想选择。 •安装成本和面积可减少一半
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
FMC3A NPN+PNP复合带阻尼三极管 40V/-10V 50mA/-50mA 300mW/0.3W SOT-153/SMT5/SC-74A/SOT23-5 标记C3 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
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