| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 23 Pin |
| 封装 | EASY2B-2 |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 1200 V |
| 输入电容值(Cies) | 2nF @25V |
| 额定功率(Max) | 20 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tray |
| 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ |
IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 1200 V 70 A 20 mW 底座安装 模块
Infineon（英飞凌）
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晶体管, IGBT阵列&模块, Six N Channel, 35 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module
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