| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 23 Pin |
| 封装 | Module |
| 额定功率 | 175 W |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 175 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 600 V |
| 输入电容值(Cies) | 3.1nF @25V |
| 额定功率(Max) | 175 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 40 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tray |
| 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
Infineon FP50R06W2E3B11BOMA1 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 65 A, Vce=600 V, 35引脚 EASY2B封装
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EasyPIM MODUL MIT海沟/ Feldstopp IGBT3 UND发射极控制二极管3 UND NTC EasyPIM Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTC
Infineon（英飞凌）
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 65 A, 1.45 V, 175 W, 600 V, Module
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IGBT 模块，Infineon **Infineon 封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM IGBT 分立件和模块，Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
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