| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Solder |
| 引脚数 | 24 Pin |
| 封装 | AG-ECONO3-3 |
| 额定功率 | 350 W |
| 针脚数 | 24 Position |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 350 W |
| 输入电容值(Cies) | 5.3nF @25V |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 355 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Box |
| 长度 | 122 mm |
| 宽度 | 62 mm |
| 高度 | 17 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 125℃ |
IGBT 模块，Infineon
●Infineon
● 系列 IGBT 模块提供低切换损耗，用于高达 60 khz 频率的切换。
●IGBT 跨一系列电源模块，如 ECONOPACK 封装，1200V 时带集电极开路发射器电压；PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块，其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用，例如反相器、UPS 和工业驱动器。
●封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4
●### IGBT 分立件和模块，Infineon
●绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
Infineon（英飞凌）
12 页 / 0.12 MByte
Infineon（英飞凌）
36 页 / 3.45 MByte
Infineon（英飞凌）
1 页 / 0.01 MByte
Infineon（英飞凌）
33 页 / 2.24 MByte
Infineon（英飞凌）
3 页 / 0.14 MByte
Infineon（英飞凌）
EconoPIM3模块沟/场终止IGBT 4和EmCon4二极管 EconoPIM3 module with trench/fieldstop IGBT4 and EmCon4 diode
Infineon（英飞凌）
INFINEON FP75R12KE3 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 105 A, 2.3 V, 350 W, 1.2 kV, EconoPIM
Infineon（英飞凌）
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 75 A, 1.85 V, 385 W, 1.2 kV, Module
Infineon（英飞凌）
Infineon FP75R12KE3BOSA1 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 105 A, Vce=1200 V AG-ECONO3-3封装
Infineon（英飞凌）
EconoPIM3模块，具有快速海沟/场终止IGBT 4和发射极控制二极管4和NTC EconoPIM3 module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC
Infineon（英飞凌）
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 75 A, 1.85 V, 385 W, 1.2 kV, Module
Infineon（英飞凌）
EconoPIM ™ 3模块沟/场终止IGBT 4和发射极控制二极管4 EconoPIM™3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode
Infineon（英飞凌）
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 75 A, 1.7 V, 355 W, 1.2 kV, Module
Infineon（英飞凌）
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 75 A, 1.85 V, 385 W, 1.2 kV, Module
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
