| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Screw |
| 引脚数 | 24 Pin |
| 封装 | AG-ECONO3-3 |
| 额定功率 | 355 W |
| 功耗 | 355 W |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 355000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tray |
| 长度 | 122 mm |
| 宽度 | 62 mm |
| 高度 | 17 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 125℃ |
Infineon（英飞凌）
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EconoPIM3模块沟/场终止IGBT 4和EmCon4二极管 EconoPIM3 module with trench/fieldstop IGBT4 and EmCon4 diode
Infineon（英飞凌）
INFINEON FP75R12KE3 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 105 A, 2.3 V, 350 W, 1.2 kV, EconoPIM
Infineon（英飞凌）
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 75 A, 1.85 V, 385 W, 1.2 kV, Module
Infineon（英飞凌）
Infineon FP75R12KE3BOSA1 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 105 A, Vce=1200 V AG-ECONO3-3封装
Infineon（英飞凌）
EconoPIM3模块，具有快速海沟/场终止IGBT 4和发射极控制二极管4和NTC EconoPIM3 module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC
Infineon（英飞凌）
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 75 A, 1.85 V, 385 W, 1.2 kV, Module
Infineon（英飞凌）
EconoPIM ™ 3模块沟/场终止IGBT 4和发射极控制二极管4 EconoPIM™3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode
Infineon（英飞凌）
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 75 A, 1.7 V, 355 W, 1.2 kV, Module
Infineon（英飞凌）
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 75 A, 1.85 V, 385 W, 1.2 kV, Module
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