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FP75R12KT4B15BOSA1
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FP75R12KT4B15BOSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
封装:ECONO3-3
描述:晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 75 A, 1.85 V, 385 W, 1.2 kV, Module
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焊盘图
引脚图
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FP75R12KT4B15BOSA1 数据手册 (4 页)
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FP75R12KT4B15BOSA1 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数35 Pin
封装ECONO3-3
功耗385 W
击穿电压(集电极-发射极)1200 V
输入电容值(Cies)4.3nF @25V
额定功率(Max)385 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)385000 mW

FP75R12KT4B15BOSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tray
工作温度-40℃ ~ 150℃

FP75R12KT4B15BOSA1 数据手册

FP75R12KT4B15BOSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
4 页 / 0.23 MByte
FP75R12KT4B15BOSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
33 页 / 2.24 MByte
FP75R12KT4B15BOSA1 产品描述及参数
Infineon（英飞凌）
1 页 / 0.07 MByte
FP75R12KT4B15BOSA1 产品修订记录
Infineon（英飞凌）
1 页 / 0.13 MByte

FP75R12KT4B15 数据手册

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晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 75 A, 1.85 V, 385 W, 1.2 kV, Module
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