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FPF2G120BF07ASP 数据手册 - ON Semiconductor(安森美)
制造商:
ON Semiconductor(安森美)
封装:
HF2CA-N32
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
FPF2G120BF07ASP 数据手册
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FPF2G120BF07ASP 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
HF2CA-N32
功耗
156000 mW
击穿电压(集电极-发射极)
650 V
额定功率(Max)
156 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
156000 mW
FPF2G120BF07ASP 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tray
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)
FPF2G120BF07ASP 符合标准
FPF2G120BF07ASP 海关信息
FPF2G120BF07ASP 概述
IGBT 模块 场截止 3 个独立式 650 V 40 A 156 W 通孔 F2
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