| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 800 V |
| 额定电流 | 9.80 A |
| 封装 | TO-3-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 1.05 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 240 W |
| 漏源极电压(Vds) | 800 V |
| 漏源击穿电压 | 800 V |
| 栅源击穿电压 | ±30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 9.80 A |
| 上升时间 | 115 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2700pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 240 W |
| 下降时间 | 75 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 240W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 16.2 mm |
| 宽度 | 5 mm |
| 高度 | 20.1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET
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晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 800 V, 0.93 ohm, 10 V, 5 V
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQA10N80C_F109 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 800 V, 0.93 ohm, 10 V, 5 V
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