类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
封装 | TO-3-3 |
功耗 | 240W (Tc) |
漏源极电压(Vds) | 800 V |
输入电容值(Ciss) | 2800pF @25V(Vds) |
耗散功率(Max) | 240W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
通孔 N 通道 10A(Tc) 240W(Tc) TO-3P
ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
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Fairchild(飞兆/仙童)
800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 800 V, 0.93 ohm, 10 V, 5 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQA10N80C_F109 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 800 V, 0.93 ohm, 10 V, 5 V
Fairchild(飞兆/仙童)
800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET
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