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FQA12N60
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FQA12N60 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:TO-3-3
描述:600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
PDF文件:FQA12N60 数据手册 (8 页)封装尺寸在7 页
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FQA12N60 数据手册 (8 页)
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FQA12N60 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
额定电压(DC)600 V
额定电流12.0 A
封装TO-3-3
漏源极电阻700 mΩ
极性N-Channel
功耗240 W
漏源极电压(Vds)600 V
漏源击穿电压600 V
栅源击穿电压±30.0 V
连续漏极电流(Ids)12.0 A
上升时间115 ns
输入电容值(Ciss)1900pF @25V(Vds)
额定功率(Max)240 W
下降时间85 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)240W (Tc)
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FQA12N60 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube
长度16.2 mm
宽度5 mm
高度20.1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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FQA12N60 数据手册

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