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FQA13N80_F109
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FQA13N80_F109 数据手册 (8 页)
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FQA13N80_F109 技术参数、封装参数

FQA13N80_F109 外形尺寸、物理参数、其它

FQA13N80_F109 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.86 MByte

FQA13N80 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
QFET® N 通道 MOSFET,11A 至 30A,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQA13N80_F109, 12.6 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-3PN封装
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQA13N80_F109, 12.6 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-3PN封装
Fairchild(飞兆/仙童)
12.6 A, 800 V , RDS ( ON) = 750英里© (最大) @ VGS = 10 VID = 6.8 12.6 A, 800 V, RDS(on) = 750 mΩ (Max.) @ VGS = 10 VID = 6.8 A
Fairchild(飞兆/仙童)
800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET
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