| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-3-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.58 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 300 W |
| 阈值电压 | 5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 800 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 12.6A |
| 上升时间 | 150 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 3500pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 300 W |
| 下降时间 | 110 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 15.8 mm |
| 宽度 | 5 mm |
| 高度 | 18.9 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild（飞兆/仙童）
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800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET
Fairchild（飞兆/仙童）
QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQA13N80_F109, 12.6 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-3PN封装
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQA13N80_F109, 12.6 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-3PN封装
Fairchild（飞兆/仙童）
12.6 A， 800 V ， RDS （ ON） = 750英里© （最大） @ VGS = 10 VID = 6.8 12.6 A, 800 V, RDS(on) = 750 mΩ (Max.) @ VGS = 10 VID = 6.8 A
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800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET
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