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FQA18N50V2
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FQA18N50V2 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:TO-3-3
描述:500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
PDF文件:FQA18N50V2 数据手册 (8 页)封装尺寸在7 页
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焊盘图
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FQA18N50V2 数据手册 (8 页)
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FQA18N50V2 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)500 V
额定电流20.0 A
封装TO-3-3
漏源极电阻265 mΩ
极性N-Channel
功耗277W (Tc)
漏源极电压(Vds)500 V
漏源击穿电压500 V
栅源击穿电压±30.0 V
连续漏极电流(Ids)20.0 A
输入电容值(Ciss)3290pF @25V(Vds)
额定功率(Max)277 W
耗散功率(Max)277W (Tc)
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FQA18N50V2 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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FQA18N50V2 数据手册

FQA18N50V2 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
8 页 / 0.6 MByte
FQA18N50V2 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
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