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FQA19N20C
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FQA19N20C 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:TO-3-3
描述:200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET
PDF文件:FQA19N20C 数据手册 (8 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

FQA19N20C 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)200 V
额定电流21.8 A
封装TO-3-3
漏源极电阻170 mΩ
极性N-Channel
功耗180W (Tc)
漏源极电压(Vds)200 V
漏源击穿电压200 V
栅源击穿电压±30.0 V
连续漏极电流(Ids)21.8 A
输入电容值(Ciss)1080pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)180W (Tc)
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FQA19N20C 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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FQA19N20C 数据手册

FQA19N20C 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
8 页 / 0.84 MByte
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