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FQA28N15
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FQA28N15 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-3-3
描述:QFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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FQA28N15 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-3-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.067 Ω
功耗227 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)150 V
上升时间180 ns
输入电容值(Ciss)1250pF @25V(Vds)
额定功率(Max)227 W
下降时间115 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)227 W
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FQA28N15 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Rail, Tube
长度15.8 mm
宽度5 mm
高度20.1 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃
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FQA28N15 数据手册

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ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 2.94 MByte
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