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FQA34N20
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FQA34N20 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:TO-3-3
描述:200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET
PDF文件:FQA34N20 数据手册 (8 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
FQA34N20 数据手册 (8 页)
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FQA34N20 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)200 V
额定电流34.0 A
封装TO-3-3
漏源极电阻75.0 mΩ
极性N-Channel
功耗210 W
漏源极电压(Vds)200 V
漏源击穿电压200 V
栅源击穿电压±30.0 V
连续漏极电流(Ids)34.0 A
上升时间280 ns
输入电容值(Ciss)3100pF @25V(Vds)
下降时间115 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)210W (Tc)
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FQA34N20 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube
长度16.2 mm
宽度5 mm
高度20.1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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FQA34N20 数据手册

FQA34N20 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
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