类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | -150 V |
额定电流 | -36.0 A |
封装 | TO-3-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 90 mΩ |
极性 | P-Channel |
功耗 | 294 W |
漏源极电压(Vds) | 150 V |
栅源击穿电压 | ±30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | -36.0 A |
上升时间 | 350 ns |
输入电容值(Ciss) | 3320pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 294 W |
下降时间 | 150 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 294 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 15.8 mm |
宽度 | 5 mm |
高度 | 18.9 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQA36P15 晶体管, MOSFET, P沟道, -36 A, -150 V, 90 mohm, -10 V, -4 V
ON Semiconductor(安森美)
QFET® P 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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150V P沟道MOSFET 150V P-Channel MOSFET
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