类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 150 V |
额定电流 | 50.0 A |
封装 | TO-3-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 33 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 250 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 150 V |
漏源击穿电压 | 150 V |
栅源击穿电压 | ±25.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 50.0 A |
上升时间 | 320 ns |
输入电容值(Ciss) | 3250pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 250 W |
下降时间 | 200 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 250W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Rail, Tube |
长度 | 15.8 mm |
宽度 | 5 mm |
高度 | 20.1 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQA46N15 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 150 V, 33 mohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQA46N15, 50 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-3PN封装
Fairchild(飞兆/仙童)
150V N沟道MOSFET 150V N-Channel MOSFET
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